سيموس

نبذة تاريخية

من جانب آخر، ثُمَّ قام شي تاي يانغ وفرانك وانلاس بمعالجة وجمع نوعي الترانزستور (P-MOS و N-MOS) لينتج لدينا شبه الموصل ذا الأكاسيد المتكاملة (المتتامة) (سيموس) وذلك في مصنع فيرتشايلد لأشباه الموصلات عام 1963 ليحصل على براءة اختراع ذات الرقم U.S. patent #3,356,858

ومن ناحية أخرى، بعد أن تم اختراع ترانزستورات موسفت ضمن مخابر بل عام 1959 على يد كلا المهندسين محمد محمد عطا الله وداون كانغ،

كذلك، وقد زاد الطلب على هذا النوع من الترانزستورات حتى تعدى الطلب على ترانزستورات N-MOS وتم استخدامه في تصنيع وحدات VLSI؛ ومنذ عام 2011 أصبحت أغلب الوحدات المدمجة الرقمية منها والتشابهية تصنع من تقنية سيموس.

وفي هذا السياق، استثمرت الإذاعة الاميركية هذا المنتج بشكل تجاري وأطلقت عليه اسم (COS-MOS) وذلك في أواخر الستينيات من القرن العشرين مما دفع بالمُصنعين الآخرين لتبني اسم آخر لهذه التقنية فأطلق عليه (CMOS) وتم اعتماده كاسم رسمي بداية السبعينيات من ذات القرن.

مجال درجة الحرارة

مواضيع متعلقة

من جانب آخر، النوع الاساسي من ال CMOS يتحمل حرارة من  −55 ° إلى +125 درجة مؤوية.لكن هنالك بعض التعديلات على ال CMOS بحيث يعمل حتى درجة حرارة −233 °C

بيوس

استهلاك الطاقة

وفي هذا الصدد، يستهلك طاقة قليلة مقارنة ب NMOS وال PMOS وذلك لان استهلاكه للطاقة فقط في حالة التشغيل أي انه لا يستهلك طاقة الا وهو يعمل على خلاف النوعيين الاخريين.نتيجة لذلك أصبح استهلاك الطاقة ليس من العوامل التي تهم في التصنيع والإنشاء انما السرعة والمساحة المطلوبة.

طريقة الصناعة

ومن ناحية أخرى، طريقة تركيب ال PMOS transistor تنتج كمية مقاومة قليلة بين المصدر وبوابة التصريف عند تطبيق مصدر كهربائي قليل الكمية، وينشأ مقاومة عالية عند تطبيق مصدر عالي الجهد الكهربائي. من جهة اخري طريقة تركيب وتشكيل NMOS تنشأ حالة معاكسة للحالة السابقة بحيث تنشا مقاومة عالية عند تطبيق مصدر كهربائي قليل الكمية.

علاوةً على ذلك، تم تصنيع ال CMOS من خلال ان ال  PMOS transistors ان ليها مدخل من مصدر جهد كهربائي أو من خلال PMOS اخر. كذلك جميع ال  NMOS لديهم مدخل من خط التأريض أو من خلال NMOS اخر.

وعلى صعيد آخر، إحدى أهم خصائص ال CMOS على ال NMOS انهُ في حالة الانتقال من اعلى قيمة إلى اقل قيمة وبالعكس يكون اسرع بسبب وجود دارة وقف (pull up transistor) من نوع (PMOS) لها مقاومة قليلة عند التشغيل.بخلاف دائرة الحمل المتوافرة في NMOS .

وفي السياق ذاته، بعض بوبات المنطق الرقمي التي تحتوي على ( بوابة اقتران و بوابة اختيار) تحتاج ل التلاعب ب في المسارات بين ال (gates) لانشاء نتيجة المنطق الرقمي.عند وجود مسار يتكون م transistors ) متصلين على التوالي، كلاهما يجيب ان يحتوي على كمية مقاومة قليلة منسجمة مع مصدر الطاقة لانشاء (بوابة اقتران gate), وفي حالة توصيل two transistor على التوازي كلاهما أو أحد (ما يجيب ان يتكون من مقاومة قليلة لانشاء (بوابة اختيار).

إضافةً إلى ذلك، للمزيد  Logical effort لحساب التأخر (time delay) في دوائر ال CMOS.

بوابات المنطق الرقمي (Logic)

الثنائية (Duality)

إضافةً إلى ذلك، الطاقة المستعملة في تشغيل ودعم ال، Ground(GND) Vdd , Vss Vcc اعتمادا على ال المصنع.

وفي هذا السياق، من أهم خصائص دائرة ال CMOS الثنائية أو الازدواجية الموجودة بين ال PMOS وال NMOS .تم إنشاء ال CMOS بحيث يسمح بتواجد مسار دائم من المخرج اما للارض أو لمصدر الطاقة.

وفي هذا الصدد، في خلال مرحلة التشغيل نوعي ال (MOSFETs) يكونون في حالة التوصيل (conduct).

ومن جهة أخرى، طريقة التوصيل أو التنظيم في ال CMOS تحقق تقليل ل التيار من خلال ربط كل nMOSFET و  pMOSFET وربط بواباتهم معا (gates) وربط بوبات تصريفهم معا.فرق جهد كهربائي عالي يطبق على ال gates يسبب توصيل وربط (conduct) ل ال  nMOSFET وعدم ربط وتوصيل ل pMOSFET , بينما تطبيق جهد كهربائي قليل يسبب (reverse). طريقة التوصيل هذه تسبب تقليل كبير في كمية الطاقة المستهلكة والحرارة المُشعة.