موسفت شاقولي

في البداية، الترانزستور VMOS هو نوع من الموسفت (ترانزستور يعتبر تأثير المجال من أكسيد المعادن وأشباه الموصلات). يستعمل VMOS كذلك لوصف شكل V-groove (الموضع في الصورة) المقطوع رأسياً في مادة الركيزة. VMOS هو اختصار لعبارة «أشباه الموصلات المعدنية الرأسية» أو "V-groove MOS". ونتناول فيما يلي مزيدًا من التفاصيل.

وفي هذا السياق، كان استخدام الجهاز عبارة عن جهاز طاقة حتى تم إدخال أشكال هندسية أكثر ملاءمة، مثل UMOS (أو Trench-Gate MOS) من أجل خفض المجال الكهربائي الأقصى في الجزء العلوي من شكل V وبالتالي يؤدي إلى أقصى حد أعلى الفولتية من حالة VMOS.

علاوةً على ذلك، أثناء التشغيل في وضع الحجب، يحدث أعلى مجال كهربائي عند تقاطع N + / p +. إن وجود زاوية حادة في أسفل الأخدود يعزز المجال الكهربائي عند حافة القناة في منطقة الإنخفاض، مما يقلل من جهد الانهيار للجهاز. يطلق هذا المجال الكهربائي الإلكترونات في أكسيد البوابة، وبالتالي تقوم الإلكترونات المحاصرة بتحويل جهد عتبة موسفت. لهذا السبب، لم يعد يتم استخدام بنية V-groove في الأجهزة التجارية.

وفي هذا السياق، يسمح شكل "V" لبوابة موسفت للجهاز بإيصال كمية أعلى من التيار من المصدر إلى المصرف من الجهاز. شكل منطقة الإنخفاض قناة أوسع، مما يسمح لمزيد من التيار بالتدفق خلالها.