[ تعرٌف على ] إشابة

تم النشر اليوم 16-12-2025 | [ تعرٌف على ] إشابة
تم النشر اليوم [dadate] | إشابة

إشابة السيليكون

1) إشابة السيليكون لينتج النوع N من شبه موصل. إشابة السيليكون: ينتج نوع N أضفنا ذرة فوسفور تمد السيليكون بإلكترون حر (أحمر). 2) إشابة السيليكون لينتج النوع P من شبه موصل . إشابة السيليكون: لينتج النوع P هنا أضيفت ذرة بورون إلى السيليكون النقي فكونت فيه فجوة إلكترونية.

تركيب ترانزيستور

مقطع في مقحل ثنائي الأقطاب ، نوع NPN يتكون الترانزيستور في العادة من ثلاثة طبقات من نوع NPN أو PNP . الشكل المبين يوضح تركيب ما يسمى مقحل ثنائي الأقطاب

بعض الأنواع

نوع III-V-GaAs وهو زرنيخيد غاليوم ثلاثي نقي يشوب بقليل من الكربون فيكون فجوات إلكترونية (موجب الشحنات ) ، أما إذا طعم ب تلوريوم فيصبح غنيا بالإلكترونات وبالتالي يحتوي على شحنات سالبة . مادة شبه موصلة تستخدم كثيرا في الإلكترونيات هي أكسيد السيليكون النقي حيث يمكن إشابة ه بالبورون أو ب الفسفور. وينتج منه زجاج بورفوسفات سيليكات BPSG الذي تنخفض درجة انصهاره نحو 700 درجة مئوية عن نقطة انصهار أكسيد السيليكون. لهذا يستخدم في صناعة الويفر .

شرح مبسط

الإشابة[1] أو التطعيم في الإلكترونيات هي عملية مصنعية تتم لتحويل نبيطة شبه الموصل من كونها شبه موصل ذاتي لتصبح شبه موصل مشاب، عن طريق إضافة كمية قليلة من مادة غنية بالإلكترونات أو إضافة مادة ناقصة الإلكترونات وتسمى تلك الأخيرة فجوة إلكترونية. تتحرك الكهرباء في النبيطة (مثل الترانزيستور) بتحرك الإلكترونات (سالبة الشحنة) وتحرك الفجوات (موجبة الشحنة).