إشابة
على سبيل التعريف، الإشابة أو التشويب أو التطعيم في الإلكترونيات هي عملية مصنعية تُجرى تحويل نبيطة شبه الموصل من كونها شبه موصل ذاتي لتصبح شبه موصل مشاب، بإدخال ذرات عناصر خماسية التكافؤ او ثلاثية التكافؤ بعناية ونسب مسيطر عليها. وفيما يلي تفاصيل أوسع عن ذلك.
من جانب آخر، يستعمل زرنيخيد الغاليوم الثلاثي النقي كحامل للإشابة، فهو شبه موصل. عند إضافة كمية قليلة من مادة مانحة تحتوي 5 إلكترونات مثل الإثمد أو الفسفور أو الزرنيخ أو غيرها من عناصر المجموعة الخامسة في الجدول الدوري إلى السيليكون النقي تصبح بلوراته مشابة، حينها بلورة شبه موصل سالب أما إذا أضيف للبلورة النقية مادة متقبلة من عناصر المجموعة الثالثة تحتوي ذراتها على ثلاثة إلكترونات فعندها ستشكل الإلكترونات الثلاث رابطة تساهمية مع إلكترونات الذرات المجاورة وتبقى الرابطة الرابعة غير مكتملة مما يؤدي إلى تكون فجوة إلكترونية وتسمى البلورة من هذا النوع بلورة شبه موصل موجب.
بعض الأنواع
في هذا الإطار، مادة شبه موصلة تستعمل كثيرا في الإلكترونيات هي أكسيد السيليكون النقي حيث يمكن إشابته بالبورون أو بالفسفور. وينتج منه زجاج بورفوسفات سيليكات BPSG الذي تنخفض درجة انصهاره نحو 700 درجة مئوية عن نقطة انصهار أكسيد السيليكون. لهذا يستعمل في صناعة الويفر .
علاوةً على ذلك، نوع III-V-GaAs وهو زرنيخيد غاليوم ثلاثي نقي يشوب بقليل من الكربون فيكون فجوات إلكترونية (موجب الشحنات ) ، أما إذا طعم ب تلوريوم فيصبح غنيا بالإلكترونات وبالتالي يحتوي على شحنات سالبة .
تركيب ترانزيستور
- يتكون الترانزيستور في العادة من ثلاثة طبقات من نوع NPN أو PNP .
- الشكل المبين يوضح تركيب ما يسمى مقحل ثنائي الأقطاب
- انظر كذلك
- مقحل ثنائي الأقطاب
- حامل شحنة
- طيف كهرطيسي
ليزر
- استقطاب الفوتون.
- فونون.
- حامل قوة.
إشابة السيليكون
- 1) إشابة السيليكون لينتج النوع N من شبه موصل.
- أضفنا ذرة فوسفور تمد السيليكون بإلكترون حر (أحمر).
- 2) إشابة السيليكون لينتج النوع P من شبه موصل .
- هنا أضيفت ذرة بورون إلى السيليكون النقي فكونت فيه فجوة إلكترونية.
📝 هل في هذه المقالة خطأ؟
إذا وجدت معلومة تحتاج تصحيحاً أو إضافة، أو أردت حذف المقالة، أرسل لنا طلباً وسنراجعه.
ما رأيك في هذه المقالة؟